Технологическое оборудование

  • Сверхвысоковакуумная система оснащена безмасленной системой откачки и предназначена для нанесения тонких пленок металлов, полупроводниковых и диэлектрических материалов на подложки диаметром до 3 дюймов методами ионно-плазменного осаждения.

Вакуумная система состоит из рабочей камеры и камеры загрузки. Базовое давление в системе в диапазоне 10-11Торр. В камере расположены 4 универсальных магнетрона для напыления диэлектриков и проводников.

  • Установка вакуумная напылительная с тремя тигельными кольцевыми испарителями и одним резистивным испарителем, предназначена для получения металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок и пленочных структур в вакууме до 10-6 мм.рт.ст. Позволяет в широком диапазоне изменять технологические параметры получения образцов на различных видах подложек;
  • Установка ОIНИ-7-006 («Оратория-5»), являющаяся установкой карусельного типа, создана на базе планарного магнетрона с кольцевой зоной эрозии. В общей рабочей камере размещены четыре рабочие позиции: загрузки-разгрузки планетарных подложкодержателей, нагрева подложек, камеры распыления. На первой позиции подложкодержатели загружают в шлюзовую камеру. На второй позиции производится нагрев с помощью кварцевых ламп. Третья и четвертая позиции являются камерами распыления. На третьей позиции вместо одного стандартного магнетрона, установлено три магнетрона, которые были специально разработаны для распыления магнитных материалов с высокой проницаемостью. Четвертая позиция - высокочастотный магнетрон, позволяет распылять различные диэлектрики.
  • Установка ионно-плазменного распыления УРМ3-279.050 предназначена для получения пленочных материалов. Испарительный блок (УИП-2-1, 5-4М) содержит четыре сменных мишени, что позволяет получать в едином технологическом цикле сложные и разнообразные мультислойные структуры.

Технические характеристики:

─ предельный вакуум – 10-6 мм.рт.ст.;

─ рабочее давление Аr-10-4 мм.рт.ст.