Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact

Семинар лаборатории радиоспектроскопии и спиновой электроники
  • Room temperature spin accumulation effect in boron doped Si created by epitaxial Fe3Si/p-Si Schottky contact
  • 2017-11-02T10:00:00+07:00
  • 2017-11-02T11:00:00+07:00
  • Семинар лаборатории радиоспектроскопии и спиновой электроники
  • What новости семинары2017
  • When 02-11-2017 from 10:00 to 11:00 (Asia/Krasnoyarsk / UTC700)
  • Where Конференц-зал главного корпуса ИФ СО РАН
  • Contact Name Докладчик: Рауцкий Михаил
  • Attendees Руководитель семинара: и.о. заведующего лабораторий к.ф.м.н. Тарасов А.С.
  • Add event to calendar iCal
Статья в печать

Поделиться: