Технологические установки для синтеза магнитоупорядоченных кристаллов

Технологические установки, позволяющие при высоких температурах (1000—1300 С) синтезировать оксидные кристаллы, сульфидные соединения и вести поисковые работы по синтезу новых веществ

Технологические установки

Назначение и технические характеристики

Установки предназначеныдля выращивания магнитоупорядоченных монокристаллов раствор-расплавным методом и синтеза поликристаллов методом твердофазных реакций.

Установки состоят из печей с карбид-кремниевыми электронагревателями, температура в печах измеряется платино-платинородиевыми теромопарами. Технологические режимы синтеза кристаллов управляются программными регуляторами температуры. Точность измерения и регулировки температурыс оставляет 0,1°С, максимальные значения температуры 1300°С.

За годы эксплуатации установок на них выращены монокристаллы оксокупратов (Bi2CuO4, CuGeO3, CuBe2O4, Cu5Bi2B4O14, Cu3B26), орторомбических соединений Pb2Fe2Ge2O9 и PbFeBO4, ряд монокристаллов манганитов на основе LaMnO3 с различными замещениями, монокристаллы Li8FeSm22)38; методом твердофазных реакций синтезированы поликристаллические пироксены NaFeGe2O6 и LiFeGe2O6, цирконолиты RFeA2O7 (R = Gd, Sm; A =Ge, Ti), сульфидына основе MnS и другие моно- и поликристаллические соединения.

 

tigel.jpg