Технологические установки для синтеза магнитоупорядоченных кристаллов

Назначение и технические характеристики

Установки предназначеныдля выращивания магнитоупорядоченных монокристаллов раствор-расплавным методом и синтеза поликристаллов методом твердофазных реакций.

Установки состоят из печей с карбид-кремниевыми электронагревателями, температура в печах измеряется платино-платинородиевыми теромопарами. Технологические режимы синтеза кристаллов управляются программными регуляторами температуры. Точность измерения и регулировки температурыс оставляет 0,1°С, максимальные значения температуры 1300°С.

За годы эксплуатации установок на них выращены монокристаллы оксокупратов (Bi₂CuO₄, CuGeO₃, CuBe₂O₄, Cu₅Bi₂B₄O₁₄, Cu₃B₂₆), орторомбических соединений Pb₂Fe₂Ge₂O₉ и PbFeBO₄, ряд монокристаллов манганитов на основе LaMnO₃ с различными замещениями, монокристаллы Li₈FeSm₂₂)₃₈; методом твердофазных реакций синтезированы поликристаллические пироксены NaFeGe₂O₆ и LiFeGe₂O₆, цирконолиты RFeA₂O₇ (R = Gd, Sm; A =Ge, Ti), сульфидына основе MnS и другие моно- и поликристаллические соединения.