Комплекс оборудования для исследования влияния оптического излучения на транспортные свойства твердых тел и наноструктур

Изготовитель: Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН

Назначение и технические характеристики

Установка предназначена для прецизионных исследований транспортных и магнитотранспортных свойств материалов и многослойных структур (включая исследования в режиме импульсного тока) в условиях оптического излучения.

Установка укомплектована измерительно-питающими устройствами (ИПУ) производства Keithley Instruments, Inc., Model 2400 SourceMeter (постоянный ток), Model 2430 1kW Pulse SourceMeter (импульсный ток) и Nanovoltmetr 2182 A (нановольтметр).

• диапазон температур: 4.2–350 К;
• диапазон магнитных полей: 0–1.5 Т;
• источники излучения: набор полупроводниковых лазеров, набор ламп с монохроматором

Исследованы транспортные свойства и фотовольтаический эффект в магнитных туннельных структурах манганит/диэлектрик/ферромагнитный/металл и гибридных туннельных структурах ферромагнетик/диэлектрик/полупроводник. Например, показано, что транспортные свойства магнитной туннельной структуры La_0,7 Sr_0,3MnO₃La_0,7 Sr_0,3Mn_1-σO₃ MnSi в планарной геометрии определяется эффектом переключения токового канала между слоями структуры. Переключением можно управлять током смещения, внешним магнитным полем и оптическим излучением.

N.V. Volkov, E.V. Eremin, V.S. Tsikalov et al. Phys. D: Appl. Phys. 42, 065005

Волков Е. В. Еремин В. С. Цикалов и др. ПЖТФ, 35(21),(2009).

N.V.Volkov, C.G. Lee, P.D. Kim et al. Phys. D: Appl. Phys. 42, 205009, (2009)