Спектральный магнитоэллипсометрический комплекс

Изготовители:

• Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
• Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН

Назначение и технические характеристики

В установке реализовано новое направление оптической диагностики различных пленочных материалов, включая тонкие и многослойные покрытия, пленки и адсорбционные слои, в сочетании с магнитным полем: «магнитоэллипсометрия». Помимо традиционных оптических констант и толщин тонких пленок, методика позволяет получить информацию о магнитном состоянии исследуемых объектов, причем и получение образцов и измерение делаются в сверхвысоком вакууме in situ.

Основные параметры установки:

• Источник света – галогенная лампа
• Спектральный диапазон, нм – 350 - 850 nm
• Время измерения на одной длине волны – 1 мс; полный спектр – 8–20 с
• Диаметр светового пучка – 3 мм
• Угол падения света, фиксированно – 56°
• Воспроизводимость –dψ = 0.02°, dΔ= 0.05°
• Максимальная величина напряженности магнитного поля – 4200 кЭ
• Предельный вакуум – 10^{–8 Па}
• Количество испарителей – 1