Установка для выращивания монокристаллов из расплава «Ника-С» с индукционным нагревом

Изготовитель: экспериментальный завод научного приборостроения «Эзан» Российской Академии наук

Эксплуатируется в научно-образовательном центре «Наноразмерные и перспективные материалы и нанотехнологии» СФУ – ИФ СО РАН

Технические характеристики

• Масса выращиваемого кристалла – до 4 кг
• Диаметр выращиваемого кристалла – до 80 мм
• Длина выращиваемого кристалла – до 500 мм
• Скорость перемещения верхнего штока – от 0,5 до 120 мм/ч
• Диапазон регулирования частоты вращения верхнего штока – от 5,0 до 100 об/мин
• Используемая выходная мощность высокочастотного преобразователя – не менее 21 кВт, частота 7 кГц
• Рост может проводится в вакууме или контролируемой атмосфере