Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара»

Изготовитель: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Назначение и технические характеристики

Комплекс состоит из трех технологических модулей: модуль анализа и подготовки подложек (ПАП), эпитаксии полупроводниковых соединений (ЭПС) и эпитаксии элементарных полупроводников, металлов и диэлектриков (ЭПМ). Вакуумно-механическая система комплекса включает также модуль загрузки и выгрузки подложек (ЗВП), систему транспорта подложек, систему предварительной откачки и получения сверхвысокого вакуума.

С помощью 2- и 5-степенных манипуляторов происходит шлюзовая подача подложек диаметром до 60 мм без нарушения вакуума в любую из трех камер и их выгрузка после нанесения пленок или структур.В камере ПАП находится ионная пушка для доочистки подложки ионным травлением, и оже-профилирования. В камере ЭПС установлено шесть термических испарителей. В камере ЭПМ расположены два термических тигельных испарителя и два электронно-лучевых испарителя.

Аналитические средства «Ангары» включают масс-спектрометры МХ-7304 в ростовых камерах для контроля остаточных газов и молекулярных пучков. Контроль чистоты подложек, структуру растущей эпитаксиальной пленки и ее толщину определяют с помощью дифрактометров быстрых электронов. Камера подготовки и анализа подложек снабжена оже-спектрометром, позволявшим иметь профильный анализ химического состава подложки и полученной на этой подложке структуры. Контроль оптических параметров синтезируемых структур непосредственно в процессе их роста производится с помощью эллипсометра ЛЭФ-751М.