Колебательная спектроскопия и фазовые переходы

  1. Выполнены исследования спектров комбинационного рассеяния кристаллов (NH4)2WO2F4 и (NH4)2MoO2F4 в области температур 10–350 К. Установлено, что при комнатной температуре и комплексные ионы [МеO2F4]2–, и ионы аммония ориентационно разупорядочены. Обнаружено, что первый фазовый переход сопровождается процессами упорядочения ионов [МеO2F4]2–, и наблюдаемые в его окрестности аномалии соответствуют переходу первого рода, близкого к трикритической точке. Второй переход связан с упорядочением ионов аммония. В кристалле (NH4)2WO2F4 при понижении температуры наблюдалась конденсация мягкой фононной моды, квадрат частоты которой линейно растет при с температурой вплоть до 244 К; экстраполяция этой зависимости к нулевой частоте дает критическую температуру T1 = 86 К, что хорошо согласуется с известной точкой низкотемпературного фазового перехода.
  2. Проведены исследования спектров комбинационного рассеяния вышеуказанных кристаллов при высоком гидростатическом давлении при комнатной температуре; обнаружены структурные фазовые переходы при 2 GPa в (NH4)2WO2F4 и при 1.2 GPa для (NH4)2MoO2F4 и, при которых наблюдаются значительные изменения в области спектра, соответствующей колебаниям –O связи. Сравнительный анализ спектров фазы высокого давления кристалла (NH4)2WO2F4 показывает, что она не совпадает ни с одной из известных низкотемпературных фаз этого кристалла. В кристалле (NH4)2MoO2F4 фаза высокого давления совпадает с низкотемпературной фазой.
  3. Исследованы спектры ИК поглощения кристалла HoFe3(BO3)4 в области температур от 4 до 423 K. Для высокотемпературной и низкотемпературной фазы вычислены спектры в пакете LADY. Экспериментальные спектры проанализированы на основе расчетного спектра. Эффекты давыдовского расщепления и магнитного упорядочения с понижением температуры не обнаружены.
  4. С использованием метода КРС спектроскопии обнаружен и исследован размерный полиморфный переход, возникающий при уменьшении размеров наночастиц парадибромбензола (Коршунов М.А. и др., Российские нанотехнологии, 2010, 5, 73).

Поделиться: