Широкополосный магнитометр слабых магнитных полей на основе микрополоскового резонатора с тонкой магнитной пленкой

Результаты получены совместно по Соглашению № 14.604.21.0179 в рамках Федеральной целевой программы, руководитель – д.т.н. Беляев Б.А., и проекту государственного задания № 0287-2019-0005, руководитель – к.ф.-м.н. Боев Н.М. Результат вошел в число важнейших практических результатов за 2019 год, рекомендованных ОУС СО РАН по физическим наукам в доклад Президенту РФ.

Разработана и исследована новая конструкция магнитометра слабых магнитных полей на основе микрополоскового резонатора с тонкой магнитной пленкой. Датчик является универсальным магнитометрическим устройством и может использоваться при решении широкого круга научно-технических и исследовательских задач, например, при реализации различных методов электромагнитных геофизических исследований, в системах магнитной связи в качестве широкополосной антенны, в оборонной технике, в медицине и в охранной сигнализации. Разработанный датчик имеет малые массу и габариты, является простым и сравнительно дешевым при серийном производстве, при этом он обладает чувствительностью, превышающей более чем на порядок чувствительность известных конструкций тонкопленочных датчиков. Уровень собственных шумов датчика на частоте 1 Гц составляет 10-11 Тл/Гц1/2; на частотах более 102 Гц чувствительность датчика превышает чувствительность лучших феррозондовых преобразователей, а на частотах выше 104 Гц, вплоть до частоты до 106 Гц, уровень шумов снижается до 10-13 Тл/Гц1/2.

 

advt_12019.jpg

Рис. 1. Слева на рисунке фотографии опытной партии разработанных магнитометров слабых магнитных полей и феррозонд английской компании Bartington Mag-13MCL100. Справа – измеренные зависимости уровней собственных шумов разработанных устройств и феррозонда Bartington Mag-13MCL100.

 

  1. Датчик слабых магнитных полей: пат. 2682076 Российская Федерация: МПК7 G01R 33/24, G01R 33/02 / Бабицкий А.Н., Беляев Б.А., Боев Н.М., Изотов А.В., Бурмитских А.В.; заявитель и патентообладатель ФИЦ КНЦ СО РАН.