Влияние электромагнитного излучения на магнитотранспортные свойства структур Fe/SiO2/Si на постоянном токе

Получен в рамках Базового проекта II.9.1.1.

3_2015.jpg

В устройстве выполненном на основе структуры Fe/SiO2/p-Si было обнаружено гигантское изменение фотопроводимости при приложении магнитного поля.

Проводимость может изменяться более чем в 25 раз в магнитном поле величиной в 1 Т. Основной механизм влияния магнитного поля на проводимость сводится к действию сил Лоренца, которые изменяют траектории фотогенерированных носителей заряда, тем самым изменяя скорость их рекомбинации.

N.V. Volkov, at el. // JMMM V. 383, pp. 69–72 (2015).

N.V. Volkov at el. // Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques V. 9(5), pp. 984-994 (2015).