Теория спин-зависимого транспорта через структуры атомного масштаба с большим числом не эквидистантных уровней

Получен в рамках базового проекта II.9.1.2 «Исследование энергетического спектра, магнитных, сверхпроводящих, кинетических и релаксационных свойств сильно коррелированных материалов, неоднородных сред и наноструктур».

На основе неравновесной диаграммной техники Келдыша при учете процессов многократного рассеяния носителей тока построена теория спин-зависящего транспорта через структуры атомного масштаба с большим числом неэквидистантных уровней энергий. Получены выражение для тока и система кинетических уравнений для неравновесных чисел заполнения состояний структуры. В туннельном режиме вольт-амперные характеристики содержат ступенчатые особенности, а также участки с отрицательной дифференциальной проводимостью.

advt_2013_5.jpg

Рис. 1. Вольт-амперная характеристика магнитной примеси
(на вставке участок с отрицательной дифференциальной проводимостью.


Показано, что процессы неупругого рассеяния электронов на спиновых структурах атомного масштаба приводят к реализации в их транспортных характеристиках эффекта Фано. Резонанс Фано проявляется только при учете спин-флип процессов. Приложение к таким системам внешнего магнитного поля и электрического поля затвора изменяет условия реализации эффекта Фано и индуцирует гигантское магнитосопротивление.

  1. Письма в ЖЭТФ 98, 459 (2013)
  2. ЖЭТФ 143, 984 (2013)
  3. ФНТ 39, 48 (2013).

Руководитель – д.ф.-м.н. Вальков В. В.
Лаборатория Теоретической физики