Электронная структура высокотемпературных сверхпроводников с учетом сильных электронных корреляций

Электронная структура высокотемпературных сверхпроводников La2-xSrxCuO4 с учетом сильных электронных корреляций

Электронная структура высокотемпературных сверхпроводников La2-xSrxCuO4 рассчитана с учетом сильных электронных корреляций с использованием первопринципного метода LDA+GTB [1]. Эти расчеты позволили получить низкоэнергетический эффективный гамильтониан с параметрами, вычисленными ab initio. В рамках этого гамильтониана проанализирован магнитный механизм куперовского спаривания. Магнитный механизм с первопринципными параметрами гамильтониана в приближении среднего поля дает слишком большие значения критической температуры Tc~200K.

Вывод гамильтониана электрон-фононного взаимодействия при учете сильных электронных корреляций и реальной симметрии смещений ионов [2] позволил развить теорию высокотемпературной сверхпроводимости с одновременным учетом магнитного и фононного механизмов спаривания. Особенность развитого подхода заключается в использовании только одного феноменологического параметра G, определяющего интенсивность электрон-фононного взаимодействия. Электрон-фононное взаимодействие в зависимости от знака G ЭФВ может как подавлять, так и усиливать Tc, обусловленную магнитным механизмом спаривания. В La2-xSrxCuO4 взаимодействие с дыхательной модой фононов доминирует и понижает критическую температуру сверхпроводника d-типа, обусловленную магнитным механизмом сверхпроводимости [3] (рис. 3).

2006_4_1.gif

  1. Korshunov M.M., Gavrichkov V.A., Ovchinnikov S.G., Nekrasov I.A., Pchelkina Z.V., Anisimov V.I., Hybrid LDA and generalized tightbinding method for electronic structure calculations of strongly correlated electron systems // Phys.Rev. B. –2005. –72, 165104.
  2. Овчинников С.Г., Шнейдер Е.И., Эффективный гамильтониан для ВТСП купратов с учетом электрон-фононного взаимодействия в режиме сильных корреляций // ЖЭТФ. –2005. –128, №5, 974–986.
  3. Шнейдер Е.И., Овчинников С.Г., Фононный и магнитный механизм ВТСП в режиме сильных электронных корреляций. // Письма в ЖЭТФ, 83, №9, 462–466 (2006).

Лаборатория физики магнитных явлений