Tarasov, Anton S.; Tarasov, Ivan A.; Yakovlev, Ivan A.; Rautskii, Mikhail V.; Bondarev, Ilya A.; et al.// Nanomaterials//
Волков Никита Валентинович
Волков Никита Валентинович
Дата рождения: 18 ноября 1961
Адрес: Институт физики им Л.В. Киренского, 660036, Россия
Phone: +7 (391) 243-26-35
E-mail: volk@iph.krasn.ru
Образование:
- 1984 году окончил Красноярский госуниверситет, физический факультет
- 1992 г. Защита кандидатской диссертации "Влияние оптического возбуждения на параметры магнитного резонанса в кристаллах гематита"
- 2000 г. Присвоено ученое звание старшего научного сотрудника
- 2004 г. Защита докторской диссертации "Магнитные, резонансные и транспортные свойства примесных и слоистых систем"
Опыт:
- 1984-1986 служба в рядах вооруженных сил СССР
- С 1986 по настоящее время работает в Институте физики им. Л.В. Киренского СО РАН, инженер, младший научный сотрудник (1990), научный сотрудник (1992), старший научный сотрудник (1998), ученый секретарь (2001), зам. директора (2011), директор Института (2017).
- Директор ФИЦ КНЦ СО РАН (2017-2019)
Квалификация: Доктор физико-математических наук, профессор
Занимаемая должность:
- Главный научный сотрудник лаборатории радиоспектроскопии и спиновой электроники
Научные интересы:
- Экспериментальная физика
- Физика магнитных явлений
- Радиоспектроскопия
- Фотомагнитные явления
- Радиофизика СВЧ-диапазона
- Общее количество научных работ и их основная направленность: свыше 50, физика магнитных явлений, автор двух патентов
Избранные публикации:
- Волков.Н.В., Петраковский Г.А., Саблина К.А. Резонансный отклик проводимости в СВЧ-диапазоне на воздействие переменного тока в кристаллах La0.7Pb0.3MnO3. ФТТ, 1999, т. 41, в. 12, с. 2187-2192.
- Петраковский Г.А., Волков.Н.В., Васильев В.Н., Саблина К.А. Спектр магнитного резонанса двухфазного состояния в монокристаллах манганита лантана La0.7Pb0.3MnO3 Письма в ЖЭТФ, 2000, т. 71, в. 4, с. 210-214
- G.S. Patrin, N.V. Volkov Polarization-dependent photoinduced change of magnetic state in the a-Fe2O3:Ga, Yb crystals, J. Phys.: Condens. Matter 12, 1867 (2000)
Новые публикации
Smolyakov, Dmitry; Tarasov, Anton; Shanidze, Lev; Bondarev, Ilya; Baron, Filipp; et al./ Physica Status Solidi A-applications And Materials Science/ https://doi.org/10.1002/pssa.202100459
Shanidze, Lev, V; Tarasov, Anton S.; Rautskiy, Mikhail, V; Zelenov, Fyodor, V; Konovalov, Stepan O.; et al. / Applied Sciences-basel/ https://doi.org/10.3390/app11167498
Baron, Filipp A.; Mikhlin, Yurii L.; Molokeev, Maxim S.; Rautskiy, Mikhail, V; Tarasov, Ivan A.; et al. Acs Applied Materials & Interfaces. https://doi.org/10.1021/acsami.1c08036
Lukyanenko, A., V; Tarasov, A. S.; Shanidze, L., V; Volochaev, M. N.; Zelenov, F., V; et al. Journal Of Surface Investigation. https://doi.org/10.1134/S1027451021010109
Smolyakov, D. A.; Tarasov, A. S.; Bondarev, M. A.; Nikolskaya, A. A.; Vasiliev, V. K.; et al. Materials Science In Semiconductor Processing. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.105663
Smolyarov, K. T.; Volkov, N. V.; Matsulev, A. N.; Kondrasenko, A. A. International Scientific Conference On Applied Physics, Information Technologies And Engineering (Apitech-2019). J. Phys.: Conf. Ser. 1399 022028. DOI https://doi.org/10.1088/1742-6596/1399/2/022028
Smolyarov, K. T.; Volkov, N. V.; Matsulev, A. N.; Kondrasenko, A. A. International Scientific Conference On Applied Physics, Information Technologies And Engineering (Apitech-2019). Journal of Physics: Conference Series, Volume 1399, Issue 2 Citation K T Smolyarov et al 2019 J. Phys.: Conf. Ser. 1399 022028
Bondarev, I. A.; Rautskii, M., V; Yakovlev, I. A. SEMICONDUCTORS DOI: 10.1134/S1063782619140045
Belyaev, B. A.; Tyurnev, V; Volkov, N. V. Source: JOURNAL OF COMMUNICATIONS TECHNOLOGY AND ELECTRONICS, 64 (7):664-674; 10.1134/S1064226919070039 JUL 2019
Tarasov, A. S.; Lukyanenko, A., V; Rautskii, M., V; Bondarev, I. A.; Smolyakov, D. A.; Tarasov, I. A.; Yakovlev, I. A.; Varnakov, S. N.; Ovchinnikov, S. G.; Baron, F. A.; Volkov, N. V. Source: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 34 (3):10.1088/1361-6641/ab0327 MAR 2019
Tarasov, A. S.; Lukyanenko, A. V.; Bondarev, I. A.; Rautskii, M. V.; Baron, F. A.; Smolyarova, T. E.; Yakovlev, I. A.; Varnakov, S. N.; Ovchinnikov, S. G.; Volkov, N. V. Source: SEMICONDUCTORS, 52 (14):1875-1878; 10.1134/S1063782618140312 DEC 2018
Volkov, N. V.; Tarasov, A. S.; Rautskii, M. V.; Lukyanenko, A. V.; Bondarev, I. A.; Varnakov, S. N.; Ovchinnikov, S. G. JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 451 143-158; 10.1016/j.jmmm.2017.11.008 APR 1 2018
Tarasov, A. S.; Lukyanenko, A. V.; Tarasov, I. A.; Bondarev, I. A.; Smolyarova, T. E.; Kosyrev, N. N.; Komarov, V. A.; Yakovlev, I. A.; Volochaev, M. N.; Solovyov, L. A.; Shemukhin, A. A.; Varnakov, S. N.; Ovchinnikov, S. G.; Patrin, G. S.; Volkov, N. V. THIN SOLID FILMS, 642 20-24; 10.1016/j.tsf.2017.09.025 NOV 30 2017
Eremin, E. V.; Volkov, N. V.; Sablina, K. A.; Bayukov, O. A.; Molokeev, M. S.; Komarov, V. Yu. JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS, 124 (5):792-804; Doi: 10.1134/S1063776117040112 MAY 2017
Операции с документом
Операции с документом